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碳化硅的基***

發(fā)布時(shí)間:2023-09-13瀏覽:0

1、化學(xué)性質(zhì)

抗氧化性:當(dāng)碳化硅材料在空氣中加熱到1300℃時(shí),在其碳化硅晶體表面開(kāi)始生成二氧化硅保護(hù)層。隨著保護(hù)層的加厚,阻止了內(nèi)部碳化硅維續(xù)被氧化,這使碳化硅有較好的抗氧化性。當(dāng)溫度達(dá)到1900K(1627℃)以上時(shí),二氧化硅保護(hù)膜開(kāi)始被**,碳化硅氧化作用加劇,所以1900K是碳化硅在含氧化劑氣氛下的*高工作溫度。

耐酸堿性:在耐酸、堿及氧化物的作用方面,由于二氧化硅保護(hù)膜的作用,碳化硅的抗酸能力很強(qiáng),抗堿性稍差。

2、物理機(jī)械性能

密度:各種碳化硅晶形的顆粒密度十分接近,一般認(rèn)為是3.20克/毫米3,其碳化硅磨料的自然堆積密度在1.2-1.6克/毫米3之間,其高低取決于粒度號(hào)、粒度組成和顆粒形狀。

硬度:碳化硅的莫氏硬度為9.2,威氏顯微密硬度為3000--3300公斤/毫米2,努普硬度為2670—2815公斤/毫米,在磨料中高于剛玉而僅次于金剛石、立方氮化硼和碳化硼。

導(dǎo)熱率:碳化硅制品的導(dǎo)熱率很高,熱膨脹系數(shù)較小,抗熱震性很高,是優(yōu)質(zhì)的耐火材料。

3、電學(xué)性質(zhì)

常溫下工業(yè)碳化硅是一種半導(dǎo)體,屬雜質(zhì)導(dǎo)電性。高純度碳化硅隨著溫度的升高電阻率下降,含雜質(zhì)碳化硅根據(jù)其含雜質(zhì)不同,導(dǎo)電性能也不同。碳化硅的另一電性質(zhì)是電致發(fā)光性,現(xiàn)已研制出實(shí)用器件。


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